2012年1月3日 星期二

Photoresist (PR) partially exposed to solvent 光阻(PR)的部分暴露於溶劑中


Image of Distinction, 2007
Dr. Pedro Barrios-Perez
Institute for Microstructural Sciences
National Research Council of Canada
Ottawa, Ontario, Canada
Photoresist (PR) partially exposed to solvent (200x)
Brightfield

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